安森美半导体（ON Semiconductor）将於5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。

安森美半导体基於SiC的混合IGBT和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出..

AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC萧特基二极体（Schottky Diode）技术，提供低导通损耗和开关损耗，用於多方面的电源应用，包括那些将得益於更低反向恢复损耗的应用，如基於图腾柱的无桥功率因数校正（Power factor correction；PFC）和逆变器。

该器件将矽基IGBT与SiC萧特基势垒二极体共同封装，从而在矽基方案的较低性能和完全基於SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V，能够处理高达100 A@25 刟C（50 A@100 刟C）的连续电流，以及高达200 A的脉冲电流。对於需要更大电流能力的系统，正温度系数令并行工作更简便。

现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶，在某些情况下还能储存能量，以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器，必须有高的开关效率，以确保转换时不浪费能量。在这种情况下，整合外部SiC二极体的IGBT比MOSFET方案提供更高能效，因为没有相关的正向或反向恢复损耗。

AFGHL50T65SQDC可在高达175 刟C的结温下工作，适用於包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全符合AEC-Q 101认证，进一步证明其适用於电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV） 车载充电机。

除了新的混合IGBT，安森美半导体还将在PCIM推出并展示一系列新的隔离型大电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电源应用，包括太阳能逆变器、电机驱动、不断电供应系统（UPS）和汽车应用如动力总成和PTC加热器。

NCD(V)57000系列是大电流单通道IGBT驱动器，内置电器安全隔离设计（galvanic safety isolation designed），以在要求高可靠性的电源应用中提供高能效工作。该器件具有输入互补、漏极开路故障和输出准备就绪、主动米勒钳制（Active Miller Clamp）、精确欠压锁定（UVLO）、软关断去饱和（DESAT）保护、负门极电压接脚和单独的高、低驱动输出等特点，为系统设计提供灵活性。

该器件的电器隔离额定值大於5 kVrms，满足UL 1577的要求，工作电压高於1200 V，保证8 mm爬电距离（输入>输出）以满足强化的安全隔离要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驱动电流和7.1 A汲电流能力，是某些竞争器件的三倍多。更重要的是，它们还具有在米勒平坦区工作时更大的电流能力，同时结合其先进的保护特性，使它们成为同类最隹的IGBT驱动器。

展会讯息

展会名称:欧洲PCIM 2019 (德国纽伦堡)

展览日期: 5月7日至9日，

展览位置 : 9号馆330号

展览重点:展示针对强固电源应用的混合IGBT和广泛的IGBT驱动器，提供同类中最隹的电流性能和保护特性。