M-Systems 二十日与东芝半导体共同宣布，两家公司将针对手机与消费性电子装置、提供DiskOnChip架构的新一代嵌入式高密度快闪磁盘（Embedded Flash Drive，EFD）－DOC H3。DOC H3可让装置设计师透过使用Toshiba MLC（multi-level cell，多层式单元格）NAND快闪产品、与M-Systems内建于韧体的TrueFFS快闪管理软件，整合可符合成本效益的高密度嵌入式储存装置。

DOC H3采用70奈米制程之MLC NAND快闪磁盘。Toshiba与M-Systems将产品配置从原本的单一设计，转变成多芯片设计，便可善用NAND快闪技术的最新发展技术，并同时缩短DOC的研发时程。

M-Systems总裁暨执行长Dov Moran表示：「M-Systems很自豪能与MLC NAND快闪磁盘的全球领导厂商－Toshiba密切合作，同时将我们的TrueFFS快闪管理技术嵌入DOC H3的产品本体，就能将这项可靠且符合成本效益的嵌入式快闪磁盘，轻松整合入崭新一代的设计中。」

Toshiba半导体闪存技术执行长小田清（Kiyoshi Kobayashi）表示：「Toshiba与M-Systems长达多年的合伙关系，及致力于DiskOnChip架构的心血，如今已孕育出新一代NAND快闪储存解决方案－DOC H3。我们的重点放在将继续推出技术最先进、最符合成本效益的NAND快闪解决方案，以满足市场对高密度闪存与日遽增的需求。DOC H3将程序代码和数据存入同一封包，这正是让系统设计师将我们一流的闪存技术、轻易导入嵌入式储存形式的最佳途径。」