为提高生产制程，日商东芝将于日本两处生产基地内建立12吋晶圆生产线，一处位于九州的系统LSI生产基地，新生产线将采用东芝的嵌入式DRAM制程技术；另一处在爱知县的记忆体生产基地，将生产NAND型快闪记忆体。预计此投资案将从2003年4月始，连续投资四年，估计总投资为3500亿日元。

东芝九州厂生产线，主要生产宽频网路应用，大量生产系统LSI，该厂未来将采用45奈米制程，从2003会计年度始兴建，计画2004的会计年度投产；爱知县的设备计画于2006的会计年度开始量产。

本月中旬东芝和SONY共同对外发布用于嵌入式记忆体的65nm CMOS制程技术，该技术将使单片元件的尺寸缩小为目前市场上嵌入式晶片的四分之一。东芝和SONY表示，该技术将把市场带向「Ubiquitous Computing」领域，即任何时候都能进行全面互联。该制程可生产具有高速切换速率的30nm电晶体，以及全球最小嵌入式DRAM和SRAM。

东芝和SONY已采用65nm制程，生产单元尺寸为0.11平方微米的嵌入式DRAM，使256MB的记忆体整合于单晶片上；另外，该技术还可生产仅有0.6平方微米之世界最小嵌入式SRAM。