日本矢野经济研究所发表了SiC（碳化硅）及GaN等电子组件单芯片市调报告。该单位指出，wide gap半导体用单芯片以及非线形光学晶体，多未达到实用和量产水平。往后市场可望增加的是SiC以及GaN等。

2006年SiC单芯片市场规模为40亿日圆（3635万美元）。SiC目前主要用于研究用途。但是随着组件实用化，需求正不断扩大。预计往后使用硅的高耐压离散组件将被SiC取代。而矢野经济研究所也预计，在2～3年内除了已投产的二极管、MOSFET等的开关组件将量产外，2013年将形成稳定的市场。

SiC底板方面，除了采用在SiC上形成有外延SiC薄膜的电子组件外，使用GaN的HEMT组件，以及发光组件的底板也存在使用需求。尤其HEMT组件，将随着高速通讯及手机基地台的需求而增加。预测SiC单芯片的市场规模到2010年将达到105亿日圆（约1亿美元），2015年将达到300亿日圆（约2.7亿美元）。

GaN单晶目前主要用于作为新一代DVD激光头使用的蓝紫色半导体激光器的底板，以及投影机和背投电视等雷射显示光源所用的蓝色半导体激光器底板。