台积电今(10)日宣布推出业界首见的自动化快闪式只读存储器(FlashROM)服务，用以支持其嵌入式闪存(EmbFlash()制程技术。藉由这项崭新的FlashROM技术，台积公司可协助其EmbFlash客户将芯片内的闪存自动转换为罩幕式内存 ("mask-based" ROM; MROM)，以降低制造成本，并加速产品进入量产之时程。

台积电市场企划副总经理鲍利迈(Mike Pawlik)表示，比起以往将闪存转换为MROM的方式，台积电新推出的FlashROM服务不仅减省了耗费于设计上的心力与时间，同时亦加速产品进入量产之时程。此外，在产品生产过程中，随着整体晶圆良率改善时，这项服务还可省却进行光罩及测试时的部份步骤，可有效地缩短生产周期。台积电将持续发展及创新EmbFlash制程技术与服务，以期更能满足系统单芯片(SoC)设计客户的要求。

目前台积电0.5微米EmbFlash制程技术的客户已经可以使用FlashROM服务。至于0.35 微米及0.25微米EmbFlash制程技术，则将陆续于今年中及年底提供FlashROM技术服务。

一般而言，当采用EmbFlash制程技术进行产品量产时，一旦产品设计趋于稳定之后，部份客户在大量生产时会寻找较嵌入式闪存成本低的替代品。台积电所提供的FlashROM服务，赋予客户相当大的弹性，设计者可直接将产品中以闪存为基础的部分转换为MROM版本，而不需修改逻辑设计上其他部份，因此可以大幅省却芯片重新设计及制造所需之时程。

台积电提供EmbFlash制程技术予客户，满足设计者对程序代码或数据可修改之弹性需求。EmbFlash技术尤其适用于需要系统上直接修改程序代码、产品重复使用或出货前程序代码临时变更之产品设计。