外電消息報導，美國加州一位獨立安全密碼專家Joseph Ashwood日前表示，已研發出一種新的記憶體晶片架構，透過並行與同時執行多個記憶體晶片的方式，來因應多核心處理器的運算需求。

Ashwood的記憶體架構，把單個記憶體晶片上的儲存陣列旁的智慧控制器電路集合在一起，提供能同時並行數百個讀取的流程，將數據讀取量提高，並降低平均讀取的時間。

Ashwood表示，新的記憶體架構使用了光纖技術的部分功能。這種記憶體架構可並行讀取記憶體晶片的儲存單元，打破過去利用串列方式的瓶頸。這種瓶頸也阻礙了快閃記憶體的應用，而這種架構適用於任何記憶體晶片的存儲單元。

Ashwood指出，與DDR記憶體相比，他的架構是深入到記憶體晶片內部，重新組織儲存單元讀取的方式，進而更有效地使用這些儲存單元。據了解，目前DDR2記憶體的數據傳輸速度最快為每秒12GB，而新的記憶體架構則可達到每秒16GB。

目前，這個架構仍未實際研發完成，只是學術上的設計，僅僅完成了軟體模擬。距離實體產品的開發，還需一段時間。