因應快速增長的電動汽車對於碳化矽（SiC）功率半導體需求，三菱電機（Mitsubishi Electric Corporation）宣布，至2026 年 3 月的五年內，將投資計畫增加達到約 2600 億日元，主要用於建設新的晶圓廠增加碳化矽（SiC）功率半導體的產量。根據該計畫，三菱電機將擴大新應用市場，例如低能量損耗、高溫運行或高速開關等。該計畫還將使三菱電機能夠為全球節能和脫碳的綠色轉型趨勢作出貢獻。

三菱電機將建設新的晶圓廠，以推動碳化矽功率半導體業務（source：Mitsubishi Electric Corporation）

新增投資的主要部分，約 1000 億日元，將用於建設新的 8吋SiC 晶圓廠和增強相關生產設施。新工廠將合併熊本縣酒酒井地區的自有設施，將生產大直徑 8 吋SiC 晶圓，引入具有先進能源效率和高水平自動化生產效率的無塵室。此外，該公司還將加強其 6 吋 SiC 晶圓的生產設施，以滿足該領域不斷增長的需求。

此外，三菱電機將新投資約 100 億日元用於新工廠，該工廠將整合目前分散在福岡地區的現有業務，用於功率半導體的組裝和檢查。集設計、開發、生產技術驗證於一體，將大大提升公司的開發能力，以利於及時量產來因應市場需求。剩餘的 200 億日元全部為新投資，將用於設備改進、環境安排和相關營運。