DRAM大廠美光（Micron）宣布，該公司以90奈米製程製造的首款2G NAND型快閃記憶體（Flash）產品，已按照規劃時程進入量產階段。該公司切入高容量NAND型Flash領域動作迅速，從初期設計階段到量產在不到兩年的時間內就完成。

美光行動裝置用記憶體行銷資深主管Achim Hill表示，該公司高容量NAND Flash從初期設計階段，到進入90奈米製程量產，只花了18個月的時間，且為支援客戶面盡快量產產品的既定時程，美光也可提供客戶所需要的容量、耗電、封裝、模組、參考碼與控制器相容性等資料。

據了解，在美光的規劃藍圖中，隨著製程轉進90奈米，以及到72奈米與58奈米節點技術，該公司均將繼續支援其客戶在下一代產品中所需求的容量、封裝、與設備等支援。美光還指出，該公司2G NAND產品已通過許多NAND控制器的認證，與現行2G NAND裝置相容。

市調機構Web-Feet Research分析師Alan Niebel指出，美光高容量NAND Flash不僅在製程轉型過程中頗為順利，亦達到預定量產時程，該公司以獲利率較高的高容量NAND型Flash為市場切入點，也能避免與其他業者在低容量市場殺價競爭的窘況。據估計，2005年全球NAND型Flash市場成長率可達24％，產值規模約87億美元。