外電消息報導，英特爾和美光科技於週二（8/11）宣佈，已開發出使用34奈米製程的NAND MLC快閃記憶體晶片。該晶片的儲存容量為每個儲存單元3 bit（3-bit-per-cell），高於目前標準的2 bit技術，進而提高晶片的儲存容量。

美光NAND快閃記憶體行銷經理Kevin Kilbuck表示，此技術雖然提高了單位儲存容量，但在耐用度上卻有所不足，並無法比基於標準技術的快閃記憶體可靠。因此，該晶片最初將僅限於隨身碟的應用，因為隨身碟並不需要如固態硬碟那般的可靠耐用。

對此，市場研究公司Objective Analysis分析師Jim Handy表示，這種晶片並不適合所有的市場，因為固態硬碟的使用者，在資料存取的頻繁程度遠超過隨身碟。 但他指出，預計到2010年時，英特爾和美光的晶片將給三星電子和海力士等其他廠商帶來壓力，並可能比競爭對手獲得更多的利潤。

目前美光已開始提供新晶片的樣品，預計在今年第四季時進行量產。