快閃記憶體最近幾年在高科技產業的成長熱度不減，儘管許多廠商在見到市場的興盛後不斷投入，Flash（快閃記憶體）的出貨量直線上升，價格也越見降低，但是卻只見到更多新興應用出現Flash的身影，專注於Flash的Spansion自AMD與Fujitsu獨立之後，市場表現漸入佳境，近來更以策略聯盟協議、成立海外大型設計中心等大動作，宣示對於Flash產業未來的信心。

Spansion執行副總裁暨營運長James Doran

過去專注於NOR Flash的Spansion最近兩年在該市場與Intel的競爭十分激烈，不過相較於NAND Flash的市場成長力道顯得乏力許多，因此該公司也發展兼具NOR Flash與NAND Flash的ORNAND Flash技術，Spansion執行副總裁暨營運長James Doran表示，ORNAND採用MirrorBit架構，除了可以儲存執行程式碼之外，也適合做大量資料的儲存。

就像不久前Spansion與另外一Flash廠商Saifun達成的授權協議一樣，Saifun將為90nm及65nm MirrorBit Quad產品的開發提供工程和設計支援。MirrorBit Quad產品以Spansion所屬專利的MirrorBit技術為基礎，該技術並整合Saifun所屬專利的NROM IP，協助Spansion目前的MirrorBit架構採用不導電的氮化物儲存媒介，提供優於浮動閘門（Floating Gate）技術的基礎成本與製造優勢，每個Cell從兩位元儲存能力提升到每單位四位元。

MirrorBit Quad技術不只用在NOR Flash產品中，也將導入ORNAND產品中，James Doran指出，目前手機嵌入式記憶體的應用是該公司成長最為迅速的業務之一，而ORNAND產品就非常適合手機的應用需求。目前NOR Flash與NAND Flash的技術特性與應用領域有其區別，但是未來將會逐漸模糊，產品設計中必須以應用需求為重點，所以完全儲存與完全程式執行應用的需求將會降低，廠商必須有提供整體儲存解決方案的能力。

由於單位成本儲存能力對於Flash供應商相當重要，所以除了每單位的位元儲存能力之外，晶片製程也是另一個左右競爭力的重要指標，James Doran說明，Spansion目前的產品以110奈米製程為主，90奈米製程只有在德州的Fab25量產，與台積電合作的產品明年也將進入90奈米，65奈米製程預計今年底在德州試產，2007年中正式量產，最先進的45奈米製程產品，預計在2008年透過在日本的12吋廠以升級設備的方式投入。

James Doran進一步表示，一般來說改進一個製程可以讓Flash的晶粒尺寸縮小40％，同樣大小的晶片容量提升的比例也大約是40％，所以對於Spansion來說製程技術的推展當然相當重要。所以，該公司也在8月宣布，於中國蘇州設立一個新的設計中心，Spansion將此中心設立於其蘇州生產基地中，主要是為了服務亞太地區消費性電子產品客戶的Flash儲存方案需求，該中心初步將由10位工程師所組成，計畫於三年內擴增至50名，並擴展系統和軟體工程資源。預計於2007年中開始全面營運。