盛美半導體設備公佈了邊緣濕法刻蝕設備，進一步拓寬了盛美濕法設備的覆蓋面。該新設備使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質、金屬和有機材料薄膜，以及顆粒污染物。這種方法最大限度地減少了邊緣污染對後續制程步驟的影響，提高了晶片製造的良率，同時整合背面晶圓清洗的功能，進一步優化了制程和產品結構。

盛美半導體設備董事長王暉表示，在IC製造制程裡，特別是在3D NAND、DRAM和先進邏輯器件制程中，晶圓邊緣剝離、雜質顆粒和殘留物會導致晶圓邊緣良率降低，現在這個問題的解決對於優化整體制程良率變得越來越重要。我們開發的邊緣濕法刻蝕清洗設備可有效解決這種邊緣良率降低的問題，這款新產品也把盛美在濕法制程的專業技術拓展到邊緣刻蝕應用領域。與幹法相比，該產品不僅具備明顯的性能優勢，而且可以顯著減少化學品的用量。更值得一提的是，盛美獨創的專利技術可做到更精准高效的晶圓對準，以實現精准邊緣刻蝕，從而提高良率及產能。

盛美的邊緣刻蝕產品支援多種器件和制程，包括3D NAND、DRAM和先進邏輯制程。

一直以來，製造商都是使用幹法刻蝕制程來解決邊緣薄膜和污染物去除的問題。濕法刻蝕區別于幹法制程，它避免了產生電弧和矽損傷的風險，同時還能通過 1-7 毫米可變的晶圓邊緣薄膜刻蝕/切割精度、良好的均勻性、可控的刻蝕選擇性和較低的化學品消耗量，來降低總體擁有成本。