據Digitimes消息，在日前由Semico主辦、電子時報與FSA協辦的「90奈米及深次微米」研討會（90nm and Beyond）中，半導體市調機構Semico Research總裁Jim Feldhan預估，0.13微米以下先進晶圓製程產出將在2007年達到40％；而為搶攻先進製程商機，台積電、聯電與IBM微電子等大廠皆積極發展相關技術與服務。

IBM微電子則認為，傳統矽晶圓（bulk silicon）在先進製程下，將無法突破高處理時脈漏電瓶頸，因此65奈米等主流製程將成為絕緣層上覆矽技術（Silicon-on-Insulator；SOI）與英特爾（Intel）等主導的應變矽（Strained Silicon）技術競逐局面。IBM科技事業群副總裁Bernie Mereyson指出，CMOS製程將面臨淘汰局面，SOI可以提供強力集積度（power density）晶片，同時克服矽晶圓漏電問題，將成為下一代製程主流材料。

台積電全球行銷副總胡正大則指出，晶圓代工廠在低電介質（low-k）、8吋廠轉12吋廠等先進製程學習曲線穩定後，2004年90奈米CMOS製程正處於加溫階段，預估2005年才會逐漸成為全球半導體的主流製程。胡正大表示，高成本是導致設計公司客戶提升製程意願低落的主因，台積電已透過晶圓共承制（Multi-Project Wafer；MPW）以降低客戶開發90奈米製程的光罩、晶圓成本。

聯電執行長胡國強亦表示，2004年90奈米仍是少數客戶採用的製程，而該公司採取積極強化90奈米以下單晶片整合矽智財（IP）的建立；胡國強表示，無線通訊與數位娛樂是驅動新一代矽晶圓半導體的主要動力，聯電與IC設計客戶以Multiple IDM模式，積極建構因應新一代半導體技術所需的IP資料庫，以面對單晶片世代。