英特爾 （Intel）近日在開發者論壇（IDF）中表示，未來將把90奈米製程技術，納入矽鍺（SiGe）製程中，但是何種矽鍺製程，英特爾並未詳述。台積電曾於美國表示，將提供0.18微米製程的矽鍺代工服務。據了解，Intel以投資德國晶圓代工廠Communicant公司3.25億美元，台積電則從Conexant獲得矽鍺製程技術授權，並且推出0.35微米矽鍺服務，以生產高效能的通訊晶片。

本　　文：英特爾 （Intel）近日在開發者論壇（IDF）中表示，未來將把90奈米製程技術，納入矽鍺（SiGe）製程中，但是何種矽鍺製程，英特爾並未詳述。台積電曾於美國表示，將提供0.18微米製程的矽鍺代工服務。據了解，Intel以投資德國晶圓代工廠Communicant公司3.25億美元，台積電則從Conexant獲得矽鍺製程技術授權，並且推出0.35微米矽鍺服務，以生產高效能的通訊晶片。

Intel投資的Communicant已斥資13億美元興建8吋晶圓廠，預計2003年完工投產，目標市場即為矽鍺代工市場，技術製程則有BiCMOS、LDMOS等，估計月產能將有3萬片。台積電0.18微米的SiGe代工技術，則是採用BiCMOS製程，工作電壓為1.8V～3.3V，預計第四季試產原型晶片，明年第1季認證出貨。

台積電對通訊晶片生產，將以RF CMOS製程技術服務，漸漸將技術推至0.13微米以及90奈米製程技術。Conexant也計劃成為矽鍺晶圓代工廠，儘管如此，據了解台積電為提高矽鍺的競爭力，目前正努力爭取Conexant的技術授權。