Diodes公司推出一對雙N通道增強型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，為電池充電電路提供精密的雙向低損耗開關。新產品的目標終端市場包括智慧型手機、平板電腦、相機和媒體播放器等可攜式產品使用的單電芯及雙電芯鋰電池充電器。

Diodes推出的雙N通道增強型MOSFET

DMN2014LHAB及DMN2011UFX為雙共汲極配置MOSFET，在啟動後可驅動雙向電流充電或操作；在關斷後則透過防止過度充電或漏電流過量來保護電池。DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的擊穿電壓額定值，還分別配備少於13mΩ和9.5mΩ的低導通電阻，可在正常操作下降低電池功耗。最高達80A的峰值電流使開關在保護電路啟動前就能簡單解決短路問題，少於1V的低閘極臨限電壓則確保元件能夠在低至1.8V驅動電壓下正常操作。

DMN2014LHAB採用2mm x 3mm DFN2030微型封裝，DMN2011UFX則採用2mm x 5mm DFN2050封裝，為設計師提供外形小巧的解決方案，從而利用節省下來的空間來存放額外的電芯，並提高電池容量。兩款產品均以3,000個為出貨批量。（編輯部陳復霞整理）