日本東北大學電氣通信研究所與日立製作所，最近透過自旋電子技術和矽晶片技術，成功開發了運算功能和非揮發性記憶體功能一體化的晶片。在嵌入MOS電晶體的晶片上，通過層疊自旋電子技術的磁隧道（Magnetic Tunnel Junction；MTJ）元件達到這樣的目的。除了能夠在晶片上的運算區域與記憶體區域間高速傳送數據之外，還可實現晶片的小型化。

此外，MTJ元件便可達到非揮發性記憶體性能，因此無需為了保持數據資料而持續通電，如此可將CPU待機狀態之耗電量減至零。

據了解，這項研究過程中，日立製作所負責製作矽晶片上的MOS電晶體，東北大學電氣通信研究所則負責MTJ元件的層疊。

過去由於CMOS晶片需要另外配備運算電路和記憶體電路，因此運算與記憶體間的數據傳送會產生延遲現象，並且產生高耗電問題。且由於MOS電晶體本身不具儲存功能，因此使用MOS電晶體的記憶體電路，為了儲存數據必須持續供電，導致漏電流與耗電問題產生。

目前透過將運算邏輯和記憶體緊密配置的Logic in Memory Architecture架構，並把記憶體改為非揮發性快閃記憶體，因此解決了上述的問題。