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美光NAND快閃記憶體產品前進3G市場
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2007年03月26日 星期一

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美光科技(Micron Technology)將把NAND快閃記憶體業務推向手機市場。該公司將把控制器電路設計於NAND快閃記憶體晶片珠,以及制定與設備端LSI間的介面標準。美光此舉是希望能使產品廠商省去在設備端LSI中配備控制器電路的麻煩,以提供終端產品廠商更高便利性。

控制器電路除具有誤碼糾正功能之外,還可進行Wear leveling的管理,該功能主要用途在於避免對特定區域的進行密集存取,以延長元件壽命。

美光所開發的內置型NAND快閃記憶體稱之為MMC BGA。外部介面採用卡MMC卡(Multi Media Card)。目前市場上的競爭產品包括以色列的M-Systems(2006年已被SanDisk收購)的MDOC等。不過,美光表示其產品優勢在於可應用於不同製程、與不同廠商製造之NAND晶片上;該介面也由於標準化,可免費獲得技術授權;加上擁有大型OEM廠商所提供的支援,因此美光的產品擁有更大優勢。

此外,在NAND快閃記憶體與設備端控制器LSI間的介面標準化方面,美光積極參與業界團體Open NAND Flash Interface(OFNI)的活動,並強調封裝規格及管腳輸出信號等規格的標準化,將能夠使設備廠商無需考慮NAND快閃記憶體所使用的是何種製程以及製造廠商,就能夠安裝使用的優點。目前ONFI的成員除美光外,還包括Intel、南韓海力士半導體、意法半導體等LSI廠商,以及新力等設備廠商。

隨著3G以及更新一代行動通訊應用的普及,NAND快閃記憶體的佔有率將會更高。預期未來美光在此領域的發展將有更好的成績。

關鍵字: NAND  Micron Technology  快閃記憶體 
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