台積電副總執行長曾繁城參與「奈米國家型科技計畫成果發表會」時表示，奈米科技被視為下一代最具爆發力的商品，但要挑戰奈米極限，開發新的電子材料、新的奈米級記憶體等，曾繁城並在發表會中介紹目前台積電在奈米技術上的發展現況，其一是延續CMOS製程的奈米電子。曾繁城表示，台積電在2004年可完成30奈米閘極通道（gatelength）的SOI電晶體（transistor）、SRAM，也可以利用30奈米閘極通道將CMOS電晶體縮短到5奈米的大小。

台積電另一項令各界矚目的奈米研究是與工研院電子所合作開發的磁性記憶體（MRAM），此種新型記憶體可以集合目前DRAM、SRAM和Flash三者的優點，目標是明年可以和世界一流大廠同步量產。

據了解，目前我國的國家型奈米科技計畫預定時程為六年，總計經費有6.3億美元，其中有62％將投入發展奈米工業，21％的經費用於學術研究，16％的經費用於購置研發設備，並有1％的經費用於人才培訓。