（美國加州訊）全球高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild (快捷半導體) 在其第四代 650V 及 1200V IGBT 元件中降低能量損失達30％。Fairchild 採用專為工業及汽車市場高/中速開關應用量身定製的全新設計方法，可提供工業效能以及極強的閂鎖抗雜訊能力，實現卓越的耐用性與可靠性。Fairchild 在 PCIM Asia 2015 展覽會上展示了該方法及其在若干應用中的測試結果。

Fairchild 在 PCIM Asia 展覽會上展示如何超越矽元件的「理想」限制，

資深 IGS 分析師 Victoria Fodale 表示︰「製造商高度關注更先進的 IGBT，降低 IGBT 的開關損失能夠提高其產品的能效。在各項應用中，從電動汽車及太陽能光伏發電系統，到高效率HVAC應用及工業逆變器，最大限度地降低損失是本質上實現最高能效的關鍵因素。」

Fairchild 採用全新的自校準接觸技術來實施先進的高密度間距、自平衡單元結構，在攝氏 -40度 至 175度 的溫度範圍內可實現極高的電流密度以及出色的動態開關特性。全新設計的第四代 IGBT 具有極低的飽和電壓 (Vce(sat) = ~ 1.65V) 及低開關損失 (Eoff = 5μJ/A) 等權衡特性，助客戶實現更高的系統效率。除了新一代產品，Fairchild 還將提供標準化且功能強大的設計與模擬基礎架構套件，適用於所有高低壓功率元件。

Fairchild Fellow Thomas Neyer 表示︰「Fairchild 採用的全新方法包括，透過非常精細的單元間距設計來增強效率，實現極高的電子射入效率，透過全新的緩衝結構來限制電洞載子的射入。這些改進實現了巨大的效能優勢，使 Fairchild 能夠賦予製造商全新的解決方案，藉助我們的 IGBT 高效控制電源產生的巨額成本。」

Fairchild於2015年第4季度提供 Fairchild FS4 IGBT 產品系列的詳細資料。（編輯部陳復霞整理）

【展會資訊】

*展會名稱：PCIM Asia 2015展覽會（6月25日）

*公司名稱：Fairchild

*地 點：上海世博會展中心

*海報演示：介紹2篇IGBT相關論文

1.《具備高效能及先進閂鎖抗雜訊能力的第四代場截止IGBT》(The 4th Generation Field Stop IGBT with High Performance and Enhanced Latch up Immunity)（演講者︰ Kevin Lee）

2.《關於電感式負載開關之低電流關斷瞬態期間場截止IGBT (FS IGBT) VCE斜率的相關研究》(Investigation on VCE Slope of Field Stop IGBT (FS IGBT) during Low Current Turn-off Transient of Inductive Load Switching)（演講者︰ Rafael Lim）