快閃記憶體 (Flash)族群，力晶、茂矽預定年底投片試產，世界先進也預定明年第二季加入競逐行列，華邦電及南亞科技也決定透過技術開發提升技術層次，則決定在近期導入0.15微米製程技術試產高密度快閃記憶體，拉大競爭者的差距。在DRAM廠飽受DRAM價格慘跌的壓力，各廠幾乎都布重兵鑽研開發快閃記憶體的技術，準備轉進這項利基產品。茂矽日前即宣布，該公司在美國聖荷西的研發團隊，經一年多投入上億美元研發經費，從事高密度度flash開發工作，近期已獲重大突破，正式完成首顆64Mb Flash設計，預定明年初導入茂德8吋廠，以0.18微米製程技術進行試產。力晶也宣布轉投資從事快閃記憶體技術研發的力旺科技，也完成這項產品技術開發，可望在年底由力晶進行試產。華邦電甚至宣布未來淡出標準型DRAM，全力衝刺利基型記憶體，並將快閃記憶體列為主要衝刺標的。為提升技術層次，提升產品競爭力，華邦電甚至與全球快閃記憶體排名第四位的日商夏普合作，雙方決定共同研發先進的0.18微米製程及0.13微米製程的下世代快閃記憶體產品，其中0.18微米製程產品估明年問世。另外，美商超微（AMD）昨（15）日宣布，與日本富士通（Fujitsu）合資經營的快閃記憶體廠，開始供應0.17微米製程產出的先進快閃記憶體。從動土到取得資格評定、開始量產，整個過程僅耗時15個月，為超微首次紀錄