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Mentor Graphics Calibre部門與IMEC合作
發展次波長微影技術

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠 報導】   2002年06月03日 星期一

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Mentor Graphics於5月28日宣佈,Mentor Calibre部門已和IMEC達成一項合作協議,將共同發展次波長微影技術(subwavelength microlithography)。IMEC是歐洲最重要的獨立研究中心,研究領域涵蓋微電子、奈米技術、資訊和通信系統的設計方法和技術,透過雙方的共同合作,IMEC將使用Calibre解析度強化技術工具,發展先進的高數值孔徑(Numerical Aperture)193奈米和157奈米微影程序;由於目前的半導體製程技術非常精密,只有在解析度強化工具協助下,才能達到令人滿意的晶片良率。

Mentor Graphics表示,自1999年以來,IMEC和Mentor Graphics就建立密切的非正式合作關係,此次協議讓它成為正式合作關係。根據這項為期三年的合作協議,Mentor Graphics將成為IMEC產業聯盟計劃(Industrial Affiliation Programs)的正式會員,共同發展高數值孔徑193奈米和157奈米微影程序,並持續提供軟體、訓練和顧問服務;這項合作計劃可以確保Mentor Graphics的解析度強化技術能滿足次100奈米製程的要求。

面對今日的複雜設計,要達成圖案轉移傳真度的要求,唯一方法是混合運用各種解析度強化技術。Mentor Graphics和IMEC將合作探索許多令人振奮的研究領域,其中之一是雙重曝光雙極分解(double-exposure dipole decomposition)的解析度強化技術,它雖使用成本較低的二元光罩(binary mask),卻提供非常良好的解析度強化能力,可以和交替式強相位移光罩(alternating strong PSM)相媲美,這讓它成為次100奈米加強型解析度強化技術的最佳選擇。

前言

IMEC矽晶製程技術部門副總裁Luc Van den hove博士表示,解析度強化技術對於次波長製造非常重要,IMEC與Mentor的合作關係早已產生豐碩研究成果,因此他們非常高興能將它升級為正式合作關係。由於Calibre會使用所有四種解析度強化技術,即光學製程修正、相位移光罩、Scattering Bars和偏軸照明(OAI)技術,另外還包括可支援70奈米製程且極具發展潛力的雙重曝光雙極分解技術,故能為IMEC研究人員帶來他們所需的工具,協助他們實現重大研究突破。對IMEC而言,這是非常重要的資產,能進一步帶動他們的193奈米和157奈米光學微影程序產業聯盟計劃。

Mentor與IMEC最近還共同進行一項可行性實驗,雙方先使用Calibre工具建立一個相位移光罩佈局,然後再利用248奈米交替式相位移光罩,為次100奈米製程產生閘極的平面圖形定義。在2001年日本光罩研討會上(Photo Mask Japan in 2001),Calibre部門與IMEC表示利用修剪技術(trimming techniques),他們已能實作70奈米、甚至50奈米的功能獨立閘極。IMEC希望領先業界,率先實作這麼精密的電路結構,以便發展下個世代的架構和製程。

Mentor Graphics Calibre部門總經理Joseph Sawicki表示,IMEC已開始執行先進微影技術的尖端研究,公司很高興能將雙方既有合作內容轉換為正式合作關係,並把Mentor的工具提供給IMEC使用;另一方面,Mentor也可利用這項研究成果,確保公司的解析度強化技術可以滿足次100奈米製程的要求。

關鍵字: 明導國際(Mentor Graphicsuc Van den hove  EDA 
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