根據外電報導，由於DRAM持續跌價，美光（Micron）、韓國三星電子、Hynix半導體等全球主要業者為開拓財源，紛將記憶體事業多角化並提高產品附加價值，以因應市場的激烈競爭。

根據韓國經濟新聞報導，三星電子為因應最近DRAM價格頻頻下挫，計劃研發並增產快閃記憶體（Flash）複合式記憶體，在DRAM部分則將大幅增加DDR333生產比重。快閃記憶體方面，三星2003年NAND型快閃記憶體產量將提高133％；NOR型快閃記憶體月產能則擴增至500萬顆。

在DRAM方面，三星將藉由提高DDR333與DDR400等高階DDR生產比重，將市場主力產品由DDR266轉換成DDR333。據悉，三星計劃將DDR333佔整體DDR產品比重，在2003年時由目前的25％擴增至50％；DDR400則將由4％，增至10％。

此外美光、英飛凌（Infineon）、Hynix與南亞科技等其他業者，也將朝事業多角化、產品高階化發展。2002年試產128M快閃記憶體的美光，計劃2003年底前量產；Hynix則將藉由與歐洲業者策略聯盟，大幅增加2002年營收僅708億韓元（約5664萬美元）的快閃記憶體事業營收比重。而英飛凌2003年亦擬加強投資高性能記憶體與非記憶體事業。