账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年03月07日 星期三

浏览人次:【6643】

亚德诺(ADI)与Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半桥SiC功率模组的高功率评估板,该评估板在200kHz开关频率时可提供最高1200V电压及50A电流。隔离板旨在提高设计可靠性,同时减少创建额外原型的需求,为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时程。

ADI用於Microsemi SiC功率模组的高功率和高电压隔离闸极驱动器板加速产品上市
ADI用於Microsemi SiC功率模组的高功率和高电压隔离闸极驱动器板加速产品上市

ADI和Microsemi并将於2018年3月4日至8日於美国德州圣安东尼奥举行的APEC 2018展会上展示该评估板。

新评估板可用於更复杂拓朴(例如全桥或多位准转换器)的构建模组,以进行对客户解决方案的完整工作台调试,其同样可作为最终评估平台或用於类似转换器的配置中,以全面测试和评估ADI采用iCoupler数位隔离技术的ADuM4135隔离闸极驱动器和高功率系统的LT3999 DC-DC驱动器。

该高功率评估板使Microsemi的SiC功率模组可提供诸多优势,例如:通用测试台,提供更高功率密度以缩减尺寸和成本,透过隔离导电衬底和最小寄生电容达到更高效率、性能和卓越的热管理。这些特性使该评估板适於诸多应用,包括电动汽车(EV)充电、混合动力汽车(HEV)/EV车载充电、DC-DC转换器、开关电源、高功率电机控制和航空作动器系统、等离子/半导体制造设备、镭射和焊接、MRI和X光设备等。

關鍵字: SiC  功率模組  ADI  Microsemi 
相关产品
ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用
安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本
英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合 推出全新电流额定值模组
英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率
  相关新闻
» Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品
» 贸泽最新EIT技术系列探索永续智慧电网的技术创新
» 英特尔新一代企业AI解决方案问世
» 研究:全球蜂巢式物联网连接营收将於2030年突破260亿美元
» 贸泽即日起供货适合高效能运算应用的AMD Alveo V80加速器卡
  相关文章
» 低空无人机与飞行汽车的趋势与挑战
» 通用背板管理UBM在伺服器的应用
» 航太电子迎向未来
» Crank Storyboard:跨越微控制器与微处理器的桥梁
» 进入High-NA EUV微影时代

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK89Q7MUYF2STACUK7
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw