采用5公厘x 6公厘QFN封装并具极低Rdson的25 V和30 V装置

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德州仪器（TI）推出NexFET产品线的11款新型N信道功率MOSFET，包括拥有低导通电阻（Rdson）且采用QFN封装的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其适合热插入和ORing应用。此外，TI 针对低电压电池供电型应用的新型 12-V FemtoFET CSD13383F4 在采用 0.6 公厘 x 1公厘的纤巧型封装情况下实现了极低电阻。

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。

TI新型CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与针对DC/DC控制器应用的LM27403搭配使用，以构成一款完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与如TPS24720等TI热插入控制器配套使用。FemtoFET CSD13383F4及CSD17670Q5B和CSD17570Q5B产品可批量采购。（编辑部陈复霞整理）