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Diodes DFN2020封装P通道MOSFET降低负载开关损耗
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2015年12月16日 星期三

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Diodes公司新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑、智慧型手机、超轻薄笔电等可携式消费性电子产品的负载开关,以及物联网的应用。

Diodes推出的DMP1022UFDE及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用2mm x 2mm DFN2020封装
Diodes推出的DMP1022UFDE及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用2mm x 2mm DFN2020封装

两款MOSFET在低闸极驱动情况下提供低导通电阻,有效满足那些希望用简易的方法关闭低压电源轨的电路设计师。这还确保低至1.5V的电源轨能够以最低通损耗进行开关。 DMP1022UFDF在-2.5V闸极驱动下的导通电阻少于20mΩ;DMP2021UFDF在-1.8V闸极驱动下的导通电阻则少于26mΩ。以MOSFET作为高侧负载开关来关掉闲置处理器核心和其他非活跃电路,能有效延长电池寿命。

新产品采用了占位面积仅4mm2的小型DFN2020封装,离板高度只有0.6mm,同样非常适合对空间要求严格的应用。这款封装还具有外露漏极焊垫,其低于摄氏10度/W的结点至焊垫热阻提供散热功能,从而降低裸片温度并提升元件可靠性。

DMP1022UFDE及DMP2021UFDF各以10,000个为出货批量。

關鍵字: MOSFET  P通道  负载开关  电池管理  物聯網應用  可攜式  消費性電子  Diodes  电源组件 
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