【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon) 擴增旗下CoolMOS技術產品系列，推出 600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7) 系列，能夠以600 V崩潰電壓運作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可讓各種目標應用達到無可比擬的功率密度。

英飛凌新款高壓MOSFET系列的目標應用包括充電器、適配器、照明、電視、PC 電源、太陽能、伺服器、電信及EV充電等...

600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的最適組合

新推出的 P7 在一體化設計的流程中提供出色的易用性，基準的效率和最佳化的性價比，目標應用包括充電器、適配器、照明、電視、PC 電源、太陽能、伺服器、電信及EV充電等，可涵蓋100 W至15 kW的功率等級。600 V CoolMOS P7可在各種拓樸中實現多達 1.5% 的效率提升，溫度改善亦較競爭產品多達 4.2°C。

600 V CoolMOS P7 產品擁有 37 m? 至 600 m? 的寬廣通態電阻RDS(on) 範圍，提供表面黏著 (SMD) 或插入型封裝，適合多種應用與功率範圍。此外，超過 2 kV (HBM) 的卓越 ESD 耐用性，可保護裝置避免因生產過程中的靜電放電而損壞，進而提升了製造品質。最後，強固的本體二極體則能在 LLC 電路的硬式換流事件中保護裝置。

600 V CoolMOS C7 Gold：創新 SMD TO 無引線封裝實現同級最佳 FOM

G7 具有更低的通態電阻 RDS(on)、最小的閘極電荷 QG、更低的輸出電容儲存電力以及 TO 無引線封裝提供的4 接腳 Kelvin 源極功能，可將 PFC 與 LLC 電路的耗損降到最低，實現 0.6% 的效能提升，並提高 PFC 電路的全負載效率。低寄生源電感僅 1 nH，亦有助於提高效率水準。

TO 無引線封裝擁有更佳的散熱性，適用於更高電流的設計。而SMD技術則有利於節省黏著製程成本。此外，600 V CoolMOS C7 Gold 擁有業界最低的 RDS(on)，介於 28 m?至150 m?。相較於傳統的D2PAK封裝，其尺寸縮小30%、高度減少 50%、空間節省 60%。綜合上述特性，使本產品極適合應用於伺服器、電信、工業與太陽能等需求最高效能與基準功率密度的應用。

600 V CoolMOS P7 與 600 V CoolMOS C7 Gold 系列均已量產，亦可訂購樣品。