帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
瑞薩科技推出高效能SiGe MMIC
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2006年04月20日 星期四

瀏覽人次:【2944】

瑞薩科技(Renesas Technology)20日發表高效能的HA31010 2.4 GHz/5 GHz雙頻SiGe MMIC(矽鍺微波單晶積體電路),可做為無線區域網路終端傳輸功率放大用的功率放大器。日本地區將於2006年6月起提供樣品。

為提供雙頻作業功能,此單晶片將結合一個支援IEEE802.11b/g無線區域網路標準的2.4 GHz頻段放大電路(amplifier circuit),以及一個支援IEEE802.11a無線區域網路標準的5 GHz頻段放大電路。與使用兩個單獨的瑞薩科技2.4 GHz和5 GHz SiGe MMIC相比,此一技術的架置面積減少近40%。HA31010具備高增益特性,除提供SiGe MMIC業界最低的電流耗損(current dissipation)外,2.4 GHz頻段應用的功率增益為28 dB、電流耗損為130 mA,而5 GHz頻段應用的功率增益為24 dB、電流耗損為160 mA。

HA31010透過容易使用的矽鍺-互補金屬氧化半導體(SiGe-CMOS)製程,納入採用金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的交換電路。因此無需新增外部的交換裝置,就可以輕鬆執行2.4 GHz/5 GHz頻段放大電路的交換及發送/接收交換作業。此外,其待機電流低至0.1 μA或更低,可降低功率耗損。主動執行低功率消耗的無線區域網路裝置,需要能自動控制輸出功率,以便在執行通訊作業時,將必要的輸出功率降至最低。HA31010內含一個可做為此一功能感測器的輸出功率偵測電路,能減少零件的數量,並縮小架置板的面積。

關鍵字: 瑞薩科技  一般邏輯元件 
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.188.119.67
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw