飛思卡爾半導體已和台積電(TSMC)簽訂合約，聯合開發新一代的絕緣層上覆矽(SOI)高效能晶片前段技術，目標將鎖定在開發65奈米互補金屬氧化半導體(CMOS)的先進製程節點。這份為期三年的合約同時也賦予台積電(TSMC)製造權，可利用飛思卡爾的90奈米絕緣層上覆矽(SOI)技術製造產品。

飛思卡爾技術長Dr. Claudine Simson表示：「飛思卡爾提供客戶高效能絕緣層上覆矽(SOI)產品，已經有四年的時間，台積電(TSMC)長久以來都是飛思卡爾重要的晶圓代工廠商，同時在我們與飛利浦和意法半導體(STMicroelectronics)，共同在法國Grenoble附近的Crolles所發展的聯合開發技術計畫上，台積電也與飛思卡爾有良好的合作關係。我們與台積電(TSMC)長期以來都合作愉快，也期待能和台積電(TSMC)聯合開發出65奈米絕緣層上覆矽(SOI)高效能晶片技術。」

這次共同合作，是期望能加快65奈米絕緣層上覆矽(SOI)技術的上市時間，讓這項技術可創新的應用在不同市場裡。而除了聯合開發65奈米絕緣層上覆矽(SOI)高效能電晶體前端技術以外，雙方將依照各自市場不同的應用需求，獨立開發65奈米金屬化後段技術。飛思卡爾會選在與飛利浦及意法半導體 (STMicroelectronics)共同擁有，位於法國的Crolles2聯合研發及試產中心，來把這項技術運用到以十二吋晶圓生產65奈米絕緣層上覆矽(SOI)晶片；台積電(TSMC)則會在台灣的廠房裡使用這項技術，生產高速、高效能的網路與運算應用產品，同時計畫開發出低耗電選擇，以滿足行動式應用對於低耗電量的需求。