帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Toshiba新款輕薄型共汲極 MOSFET具有極低導通電阻特性
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2023年05月19日 星期五

瀏覽人次:【584】

Toshiba推出一款額定電流為 20A 的 12V 共汲極 N 溝道 MOSFET「SSM14N956L」,適用於鋰離子 (Li-ion) 電池組 (例如行動裝置電池組) 的電池保護電路中。包括智慧手機、平板電腦、行動電源、可穿戴裝置、遊戲機、小型數位相機等應用。

Toshiba推出新款小巧輕薄型共汲極 MOSFET:SSM14N956L,具有極低導通電阻。(source:Toshiba)
Toshiba推出新款小巧輕薄型共汲極 MOSFET:SSM14N956L,具有極低導通電阻。(source:Toshiba)

鋰離子電池組依靠高度穩健的保護電路來減少充電和放電時產生的熱量並提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,需要能夠提供低導通電阻的小巧輕薄型 MOSFET。

SSM14N956L 採用 Toshiba 的微工藝,確保低功率損耗 (由於先進的低導通電阻特性) 和低待機功率 (透過低閘源汲電流特性實現)。這些品質有助於延長電池的工作時間。新產品採用全新的小型薄型封裝 TCSPED-302701 (2.74mm x 3.0mm,t = 0.085mm (typ.))。「SSM14N956L」目前已開始供貨。

關鍵字: MOSFET  東芝(Toshiba
相關產品
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET
東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關
Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝
  相關新聞
» 調研:2024年OLED顯示器出貨將成長 123%
» 調研:新資安漏洞一旦被揭露 平均不到5天將遭駭客利用
» 是德、新思和Ansys共同開發支援台積電N6RF+製程射頻設計遷移流程
» Durr和R&S合作開展ADAS/AD功能測試 適用於終檢和定期技術檢驗
» ROHM首創低功耗類比數位融合控制電源解決方案
  相關文章
» 樹莓派推出AI攝影機、新款顯示器
» 以爆管和接觸器驅動器提高HEV/EV電池斷開系統安全性
» 生成式AI引爆算力需求 小晶片設計將是最佳解方
» PCIe傳輸複雜性日增 高速訊號測試不可或缺
» 揮別續航里程焦慮 打造電動車最佳化充電策略

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.223.124.244
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw