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簡化FPGA設計 Mosys推出QPR多分區高速SRAM
 

【CTIMES/SmartAuto 陳雅雯報導】   2021年05月24日 星期一

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由旭捷電子代理的美商MoSys推出新一代的Quazar QPR(Quad Partition Rate;四分區速率)記憶體,主要針對FPGA系統進行優化,提供低成本、超高速的SRAM記憶體器件。MoSys致力於加速智慧數據應用,並提供半導體和IP解決方案,以加速雲端、網路、安全性和通訊系統的效能升級,以及智慧數據處理應用的開發。

MoSys推出QUAZAR QPR系列的低成本、四分區速率SRAM記憶體晶片,提供與QDR相當的性能,但成本不到一半。
MoSys推出QUAZAR QPR系列的低成本、四分區速率SRAM記憶體晶片,提供與QDR相當的性能,但成本不到一半。

MoSys QUAZAR QPR記憶體利用1T記憶體單元、高密度和高速的記憶體架構設計,拓展了其獨特的多分區記憶體系列,包括帶寬引擎(BE2/3和PHE)器件和此次推出的新產品QUAZAR器件,成功平衡了低成本與高效率的開發要點。

新產品的容量約為QDR的4~8倍,包含567Mb和1Gb的內存選項,而且每個器件上有多個獨立的隨機存取SRAM,tRC為3.2ns。單一個器件就能取代同時使用多個QDR器件,同時提供與QDR相當的性能,頻寬高達640Gb/s,字寬高達576b。因此,與QDR記憶體器件相比,成本不到一半。

新一代Quazar QPR同時支援INTEL(Altera)和XILINX的FPGA,而且僅需32個引腳來連接FPGA,簡化了信號路由。主要應用以搭配FPGA為主,包含測試和測量、5G網絡、路由器、交換器、安全性(防火牆、ACL、DDoS、IPS和WAF)、運算存儲、資料庫加速、大數據、航太和國防、高階影音應用、高性能運算、機器學習和人工智慧等數據驅動的領域。

MoSys除了IC,還提供了RTL記憶體控制器,作為類似於SRAM的接口,進一步簡化設計工作。

關鍵字: SRAM  高速記憶體 
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