国际整流器公司(IR)13日推出IRLR7833及IRLR7821两款HEXFET功率MOSFET，该产品以全新条形沟道(Stripe-trench)技术设计，为目前D-Pak封装上导通电阻最低的30V MOSFET。 。与同类直流-直流转换器MOSFET相比，此两款以新技术制成的MOSFET能将效率提升高达2.5%，节省高达25%零件数目，可依照实际应用需要而定。新元件是专为同步降压转换器电路而设计，适用于伺服器、桌上型和笔记型电脑，以及网路和通讯设备中的负载点(Point-of-load)转换器。IRLR7833还可用于隔离式转换器的次级同步整流。

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IR表示，相较于上一代元件，IRLR7833的导通电阻减少50%，IRLR7821的栅电荷则减少30%以上。由于IRLR7833的导通电阻极低，因此特别适合同步MOSFET应用；IRLR7821的极低栅电荷则使它成为理想的控制MOSFET。两款新元件的额定栅电压均达20V，因此品质更为坚固耐用。

D-Pak封装正广泛采用于同步场效应管(FET)插座，应用领域包括桌上型电脑和电压调节模组(VRM)设计，及每相电流高至20A的笔记型电脑应用。 IR台湾分公司总经理朱文义表示，「新晶片组采用了IR全新的矽技术，有助于提高效率或减少零件数目。在VRM设计中，设计人员可利用三枚IRLR7833 MOSFET取代四枚低端MOSFET，提供更高性能和效益。」