安森美（ON Semiconductor）近日推出，新系列的频率产生器集成电路（IC），管理时钟源的电磁干扰（EMI）及射频干扰（RFI），为所有依赖于时钟的讯号提供降低全系统级的EMI。

P3MS650100H及P3MS650103H低压互补金属氧化物半导体（LVCMOS）

新的P3MS650100H及P3MS650103H低压互补金属氧化物半导体（LVCMOS）降低峰值EMI频率产生器非常适合用于空间受限的应用，如便携电池供电设备，包括手机及平板计算机。这些便携设备的EMI/RFI可能是一项重要挑战，而符合相关规范是先决条件。这些通用新组件采用小型4引脚WDFN封装，尺寸仅为1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。这些展频型频率产生器，是提供最小的独立式解决方案，及在时钟源以和源自时钟源的下行时钟及数据讯号处降低EMI/RFI。

P3MS650100H及P3MS650103H支持的输入电压范围为1.8V至3.3V，典型偏差为0.45%至1.4%，在时钟源降低EMI/RFI的频率范围在15兆赫兹(MHz)至60MHz。工作温度范围为-20ºC至+85ºC。

安森美半导体定制工业及时序产品副总裁Ryan Cameron表示，需要符合EMI规范同时控制成本及把印刷电路板（PCB）占用面积减至最小，是行动应用的重要挑战。该公司新的降低EMI IC克服这些挑战，提供在时钟源及源自时钟源的下行时钟及数据讯号处降低EMI/RFI的高性价比方案。设计工程师在设计周期及早采用这些组件，可无须其他方案及加入成本不菲的额外PCB层或屏蔽来处理EMI/RFI问题。