英飞凌（Infineon）日前在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2010展场（2010年5月4-6日），推出了创新 IGBT 内部封装技术，能大幅延长IGBT模块的使用年限。全新的.XT技术实现IGBT模块内所有内部接合的优化，以延长产品寿命。透过此全新的封装技术，能满足新兴应用对于更高的功率循环性能之需求，更提升了模块的功率密度及更高的接面操作温度。

英飞凌工业电力部门副总裁暨总经理Martin Hierholzer指出，藉由推出全新的.XT 技术，英飞凌不仅为功率循环性能立下新的标竿，也实现了更高接面温度的运作。这些新技术能满足包括商用、营建及农用车辆或风力发电等高度要求的应用。相较于现有的技术，全新的.XT技术可以延长IGBT模块10倍的使用寿命，另外输出功率则增加25%。全新的技术支持最高达200°C的接面温度。

功率循环会产生温度变化，并导致IGBT模块内部接合的机械应力。单层因热膨胀所产生的不同系数，会造成热应力，最终导致材料疲乏及磨耗。全新的.XT技术涵盖了IGBT模块内影响功率循环性能的关键区域，包括芯片前端的黏合接线、芯片背面的焊接（芯片至 DCB）以及DCB基板至底板的焊接。