飞思卡尔半导体发表第七代高电压(HV7)射频LDMOS技术，此项技术可以满足WiMAX基地台在3.5 GHz频带中运作时所需的射频功率放大器效能。

飞思卡尔表示，即使飞思卡尔已经具备12V砷化镓拟态高速移动电子晶体管(PHEMT)的产品线，该公司仍计划继续研发高电压砷化镓PHEMT技术，专供设计WiMAX系统内的高功率砷化镓组件、以及其它在2 GHz至6 GHz间运作的应用所需。由于飞思卡尔同时提供了射频LDMOS及砷化镓PHEMT这两种技术的功率晶体管，因此该公司的射频解决方案几乎可以支持所有高功率的无线设备–其中LDMOS的效能可达3.8 GHz、而砷化镓PHEMT的效能更高达6 GHz。

飞思卡尔射频产品部门的副总裁暨总经理Gavin P.Woods表示：「由于飞思卡尔在第七代高电压射频LDMOS技术上的最新进展，我们已经在未来的WiMAX及其它高频市场中抢得先机，飞思卡尔原本研发的高电压砷化镓技术，不但仍是市场上同质产品中效率最佳者，同时也将基础设备的运作频率推上6 GHz。」