电源管理解决方案厂商安森美半导体（ON Semiconductor）9日宣布推出SMART HotPlug产品线的新成员，编号为NIS5112的新产品是一个采用内建充电泵推动高电压端N信道FET，内建自动保护并可重置使用的电子式保险开关。特别针对12V应用系统设计，NIS5112为包括企业级硬盘等热抽换应用带来了一个相当具有成本效益的冲入电流限制解决方案。

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「采用NIS5112，设计工程师只需几颗低成本的零件就能完成冲入电流限制应用的完整可靠解决方案设计。」安森美半导体Smart HotPlug产品线营销经理Barry Brinkman指出，「在这款组件推出之前，设计工程师通常得使用高达11颗零件的离散式解决方案来达成类似的设计。」

专门针对可在12V系统背板上安全地进行设备的插入或移除应用设计，NIS5112采用了一个可以搭配低成本芯片电阻而非价格较昂贵低阻抗并联电阻的内建SENSEFET带来主动式电流限制功能，加上可调整的电压变换率，NIS5112为设计工程师带来能够为各种广泛应用选择电流限制位准与输出电压启动速率的弹性，NIS5112的输入电压范围为9V到18V，同时提供有过电压保护以便能够在保护负载的同时进行转换动作，此外，这款组件还内建有控制导通电压、输出电流、芯片温度、启动电流与电压变换速率以及启动控制与计时等功能电路，并提供有自动重试或状态锁住等两种不同温度限制版本，带来稳固的温度保护功能。