Diodes近日宣布，推出采用超小型SOT963封装的双极晶体管（BJT）、MOSFET和瞬态电压抑制（TVS）组件，适合低功耗应用，Diodes SOT963的布局面积只有0.7平方毫米，比SOT723封装少30%，较SOT563封装少60%。精简的布局面积加上0.5毫米的离板高度，让Diodes的SOT963封装产品能够满足广泛的超小型可携式电子设备的要求。

Diodes SOT963

现阶段推出的SOT963封装产品，包括六款通用的双极双晶体管组合、三款小讯号双MOSFET组合及一个四线配置TVS数组DUP412VP5。这些设备的针脚封装支持手焊及目测，省却了X光检测。

采用了SOT963封装的双晶体管，包括双NPN、双PNP和互补NPN-PNP配对，额定集射极崩溃电压（VCEO）为40V和45V。双N型、双P型及互补MOSFET组件提供20V的额定汲源极崩溃电压（BVDSS），额定导通电阻（RDS(ON)）都在1.5V下测量。