（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）推出全新 CoolMOS C7 超接面（SJ）MOSFET系列。 相较于 CoolMOS CP 600 V 系列能减少 50% 的关闭损耗，在 PFC、TTF 和其他硬切换拓朴中发挥媲美氮化镓级的性能。 CoolMOS C7为扩充英飞凌每封装最低的 RDS（ON） 产品组合，协助客户进一步提升功率密度。 全新 CoolMOS 系列具有超低切换损耗，适合高功率 SMPS 应用，如服务器、电信、太阳能和工业等需求高效率、降低物料列表（BoM）和整体拥有成本（TCO）的应用。

CoolMOS C7 600 V 产品具有最低损耗并能将频率提升至高达 200 kHz

CoolMOS C7 由于能降低切换损耗，相当适合注重效率和 TCO 导向的应用，如超大型数据中心和电信基地台。 PFC 效率增幅可从 0.3% 提升至 0.7%，LLC 拓朴效率则增加 0.1%，因此能大幅降低整体成本。 以 2.5 kW 服务器 PSU 为例，使用 C7 600 V MOSFET 后可降低 10% 左右的 PSU 能源损耗成本。

在 BoM 和成本导向的设计中 （如企业服务器），CoolMOS C7 600 V 装置能降低磁性材料成本。 C7 因能有效减少闸电荷和输出电容，使得切换频率能增加一倍，损耗达到极低。 因此，磁性组件的尺寸可以大幅缩小，进而降低整体 BoM 成本。 例如，将切换频率从 65 kHz 增加至 130 kHz，最多可降低 30% 的磁性组件成本。

CoolMOS C7 600 V 产品系列将于两座 12吋晶圆厂制造，以确保能安全供货予客户。 产品系列提供多种 RDS（ON） 值和封装，产品推出后也会提供创新选项的版本，如 TO-247 4 针脚封装。 第 4 支针脚可将全负载效率提升 0.4%，减少因快速电流瞬变而造成的源极电感压降。

英飞凌 AC/DC 部门副总裁暨总经理 Peter Wawer 表示：「在英飞凌的高电压 MOSFET 产品组合中，新款 CoolMOS C7 600V 可说是为预计于 2016 年初推出氮化镓 （GaN） 装置奠下基础。 CoolMOS C7 装置基于已可量产的技术，具有最低损耗并能将频率提升至高达 200 kHz，而英飞凌氮化镓技术更将进一步增加频率范围，并实现新型拓朴。 」

英飞凌同时推出全新 2EDN7524 EiceDRIVER IC，采用业界标准针脚设计，具有两个独立未隔离的低侧闸极驱动器，各能提供 5 A 电源和峰值电流。 两信道以 5 ns 典型上升和下降时间运作，而优异的 1 ns 信道对信道延迟匹配可以实现同步切换配置，进而将总驱动电流提升一倍。 输出阶段的高电流具有相当低的 RDS（ON），即使未使用或使用小型外部闸极电阻，均能有效降低驱动器的功率消耗。驱动器 IC 在控制和 Enable Input 中能够处理高达 -10 的 VDC，确保系统对抗接地弹跳的优异耐用性和可靠性。

CoolMOS C7 600 V MOSFET 最初将提供 TO-220、TO-247 和 TO-247 4 针脚封装。 预计 2015 年第三季将开始供应 TO-220 FP、DPAK、D2PAK, ThinPAK 封装和各种 RDS（ON） 值的完整产品组合样品。 DSO-8 封装 2EDN7524 MOSFET 驱动器预计将于2015 年 8 月开始量产。 2015 年第四季则会开始供应其他封装和功能选项。