帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
ADI發表新製程並推出一系列類比IC
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年11月25日 星期四

瀏覽人次:【2703】

美商亞德諾(ADI),25日發表一款新的半導體製程,該製程結合了高電壓矽晶片與次微米CMOS與互補雙極等技術。新款類比元件計達15種,不像使用傳統CMOS製程的類比解決方案,採用iCMOS工業製程所製造的元件可耐受至30V電源,且可提供突破的效能水準,降低系統設計成本,減少最高達85%的功率消耗與30%的封裝尺寸。

ADI的iCMOS工業製程技術的推出使新型高效能類比元件可操作在電子的噪音環境,而且不用像其他CMOS製程技術需要額外IC的成本。iCMOS主要的特性在於它可以從基板或彼此之間完全隔離元件。這表示一顆單晶片可以用16,24或30V CMOS電路混合匹配5V CMOS,以及多重電壓源執行於相同的晶片上。

基於ADI的iCMOS工業製程製造的類比元件能使工業設備開發者在次微米積體電路的空間中整合高速類比與最新的數位邏輯電路,其佔位面積無其他世代高電壓IC所能及。舉例來說,設計者如有指定ADC,將會發現以iCMOS為基礎的元件比起採用現行高電壓CMOS製程製造的ADC,具有更高水準的效能,更低的功率消耗,且所需的板面積更少。類似情形,ADI的iCMOS DAC可以結合放大器來驅動範圍寬廣的信號,省卻外加分離式放大器晶片的需要。採用ADI iCMOS工業製程生產的多工器,在16隻腳的TSOP封裝中,所具有的導通電阻只有3至4歐姆,減少的導通電阻(RON )平坦度為0.5歐姆,比工業標準導通電阻少了近85%,減少從切換製程導入信號的失真。

關鍵字: 影像感測 
相關產品
R&S推出RT-ZISO隔離探針測量系統 用於快速切換信號精確測量
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT
安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本
Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝
貿澤即日起供貨Renesas搭載RISC-V CPU核心的32位元MCU
  相關新聞
» 國科會建成沙崙AI產業專區 盼引外商打造亞太研發重鎮
» 工研院:製造業趁勢AI年成長6.47% 半導體產值首破5兆
» ST協助實現AIoT萬物聯網 遍布智慧化各領域應用
» 工研院攜手聯發科開創邊緣AI智慧工廠 整合平台降低功耗50%
» 製造業Q1產值4.56%終結負成長 面板及汽車零組件製造創新高
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK86GAKZZP0STACUKM
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw