Rambus宣佈其運用Mobile Memory Initiative（MMI）所開發的最新晶片測試達到突破性功耗效能。最新的晶片測試結果顯示，高頻寬行動裝置的記憶體控制器透過MMI創新技術的運用可達到2.2mW/Gbps功耗效能。相較於初期的MMI晶片測試結果，此一數值減少將近1/3的功耗，而且大幅超過LPDDR2 400記憶體控制器所能達到的10mW/Gbps。

自從2009年2月推出以來，Rambus的MMI便致力以極低功耗達到高頻寬，進而實現新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機及可攜式媒體產品的先進應用。採用MMI新技術的記憶體系統以4.3Gbps運作時，可使單一行動DRAM裝置達到17GB/s以上的記憶體頻寬。

Rambus研究及技術開發資深副總裁Martin Scott表示，電池技術改進的速度遠落後於新一代行動裝置的效能需求。運用MMI來開發新技術可達到頻寬及功耗方面的突破性進展，進而實現先進的應用並維持長效的電池電力。

Rambus的MMI提供訊號處理及記憶體架構專業知識，其中包括極低擺幅差動訊號（Very Low-Swing Differential Signaling）、FlexClocking架構及進階電源狀態管理（Advanced Power State Management），可協助開發關鍵的創新技術。此外，Rambus的FlexPhase及微執行緒（Microthreading）技術亦大幅提升行動平台的功耗效能。

Rambus並於10月底美國矽谷Santa Clara會議中心舉行的ARM TechCon 3中，演講Rambus如何面對行動記憶體的挑戰。此次的主題為「行動記憶體是否將耗用大量電力」，著重記憶體系統效能、電源、外型體積及相關成本等層面，並且針對行動市場內最佳記憶體架構的製造，討論在擴展性、電源效率、電源狀態結束延遲（power state exit latency）、時脈回復（clock recovery）、訊號完整性（signal integrity）及低成本封裝等問題上的因應之道。