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英飛凌推出OptiMOS穩壓MOSFET及DrMOS系列產品
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑報導】   2010年03月08日 星期一

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英飛凌科技近日於美國加州舉辦的「2010 應用電力電子研討會暨展覽會」上,宣佈推出新款OptiMOS功率MOSFET系列產品。英飛凌所推出的OptiMOS 25V系列裝置經過最佳化,適合應用於電腦伺服器電源之穩壓及電信/數據通訊之開關。新推出的MOSFET產品同樣整合於TDA21220 DrMOS裝置,裝置與英特爾DrMOS規格相容。

新款裝置針對效率大幅降低三項關鍵的優值系數(FOM),降低MOSFET功損最多達20%,不論在何種負載條件下均能達到最佳的效能。裝置擁有高功率密度特性,讓一般電源供應器內降壓轉換器的電路板面積減少40%以上。

依多家市場研究機構的預測,到2011年全球伺服器的使用量將高達6千萬台,每台伺服器平均耗電600瓦,全球伺服器總耗電將達360億瓦。即便耗電需求僅降低1%,即可省下3億6千萬瓦的電力,相當於一座水力發電廠的總發電量;同時,電源供應器的效率愈高,冷卻系統需求亦相對降低,又可省下更多電力。

電源供應器設計人員可利用25V OptiMOS裝置,減少產品的用電量、降低散熱負載,甚至縮小產品體積。從許多方面來說,這些強化功能能為數據中心業者帶來極高的價值,尤其因為伺服器供電及冷卻的電力成本在整個設備的營運預算中佔了最大比重。終端使用者對於系統整體體積的縮小亦相當重視。

英飛凌新推出的25V OptiMOS離散元件採用三種封裝:SuperSO8、CanPAK及超小的S3O8,尺寸僅3.3公釐 x 3.3公釐。採用S3O8封裝的六相位轉換器,設計面積可縮小到僅1120平方公釐,足足較另外兩種封裝方式減少45至55%。新推出的DrMOS裝置TDA21220,則採用多晶片封裝,整合兩顆新型的OptiMOS電晶體及一顆驅動器IC,效率較市面上其他同級解決方案高出2至4%。

相對於採用低導通電阻溝槽技術和超低柵極電荷橫向MOSFET概念的裝置,OptiMOS25V產品在效率優值系數方面的表現更為出色。在導通電阻相同的情況下,全新OptiMOS 25V產品的閘電荷較採用次佳溝槽型產品減少35%,而其輸出電荷則較佳的橫向MOSFET產品減少50%。

關鍵字: MOSFET  DrMOS  Infineon(英飛凌電子邏輯元件 
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