帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET 為電訊電源應用提供基準效能
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2014年03月17日 星期一

瀏覽人次:【2602】

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET,為電訊應用內的DC-DC電源提供基準效能。

/news/2014/03/17/1454564130S.jpg

IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET製程,提供基準的導通電阻閘極電荷品質因數 (Rds(on)*Qg figure of merit),以實現更高效率和功率密度,並且提高系統可靠性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IRFH7185TRPbF提供極低導通電阻,加上閘極電荷比同類型元件顯著較低,所以從輕載到滿載都能達致高效能。新100V FastIRFET元件提高雪崩電流密度達20%,藉以為DC-DC電訊電源提供行業最堅固耐用的解決方案。」

IR FastIRFET元件可配合各種控制器或驅動器操作,從而使設計更靈活,更以小佔位面積實現更高電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準,並採用了5x6 PQFN行業標準封裝,備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。

封裝元件編號在25°C下最大Id在10Vgs

典型/ 最高RDSon (m?)

在4.5V下典型QG (nC)在10Vgs下R*QG
PQFN 5×6IRFH7185TRPBF123A4.236151.2

關鍵字: IR 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 國科會建成沙崙AI產業專區 盼引外商打造亞太研發重鎮
» 2024大尺寸顯示面板出貨微幅成長 差異化趨勢更加明顯
» 攸泰自有品牌RuggON佈局邊緣運算 搶攻安全供應鏈商機
» 三菱電機為Ka頻段衛星通訊地球站提供GaN MMIC功率放大器
» 臺灣智慧醫療前進歐洲 跨域展現技術強實力
  相關文章
» 打開訊號繼電器的正確方式
» 生成式AI助功率密集的計算應用進化
» 台灣AI關鍵元件的發展現況與佈局
» AI帶來的產業變革與趨勢
» 你能為AI做什麼?

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.143.239.1
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw