國際整流器公司 (International Rectifier)，推出全新的IRF6607 DirectFET MOSFET，可用於高頻同步降壓轉換器中的同步MOSFET開關應用系統。降壓轉換器只需裝上一對IRF6607 DirectFET MOSFET，便可在2MHz頻率下提供每相30A的電流，效率高達77%，電流輸出更為業內最佳的SO-8封裝MOSFET的2倍。高頻降壓轉換器可驅動Gigahertz級Intel和AMD微處理器，適用於筆記型電腦、高階桌上型電腦和伺服器。

IRF6607 MOSFET

國際整流器公司表示，新一代微處理器以接近1V電壓操作，頻率不斷上升；加上電流要求迅速遞增，急需配合快速的瞬變反應。自1999年起，瞬變反應由每微秒20A逐漸增加至每微秒325A，到明年可望進一步增至每微秒400A。為應付這些挑戰及縮減所需大型電容器組的體積，降壓轉換器必須在1至2MHz的頻率範圍內操作。

全新的30V IRF6607元件採用業界首創的雙面冷卻SMT封裝，可在SO-8面積上大大改善傳導和開關損耗。

IRF6607善用了DirectFET封裝極低的無晶片封裝電阻特性，導通電阻低至2.7mOhm，為現有SO-8面積中最低的導通電阻。此外，該元件的柵電荷和柵漏電荷極低，封裝電感較SO-8封裝MOSFET低70%，因此可在Megahertz頻率範圍內保持低開關損耗。

DirectFET封裝導熱性高，功率易於散失。其散熱設計可從封裝頂部散熱，有助縮減每個MOSFET四周的印刷電路板面積，從而減低電路尺寸和印刷電路板的線跡電感，減少不必要的開關損耗。DirectFET元件的功率耗散低、導熱性高，只需2個DirectFET MOSFET便可在2MHz下提供每相30A的電流。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「直流-直流轉換器頻率已到達新的水準，必須引入新的配合策略。DirectFET MOSFET為高頻操作確立了全新的效率和功率密度基準，為設計人員帶來獨特的離散式方案，以極低元件數量和極小巧的面積實現快速瞬變反應。」