Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。

Vishay推出採用具1.2mm×1.0mm業界最小占位面積的MICRO FOOT晶片級封裝的新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET。（來源：廠商）

憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有0.59mm的相同超薄濃度。Si8445DB具有1.2V VGS時0.495Ω～4.5V VGS時0.084 Ω的低導通電阻範圍。1.2 V時的低導通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求，從而節約了便攜式電子設計中的空間及功率。

該新器件的典型應用將包括手機、PDA、數位相機、MP3播放器及智能電話等便攜式設備中的低閾值負載開關、充電器開關及電池管理。