瑞薩電子近日宣佈，推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量。

/news/2011/02/01/1533172271.jpg

新推出的RJK60S5DPK電源MOSFET，適用於電源供應器的主要電源交換電路，用以將交流電（AC）轉換成直流電（DC）。RJK60S5DPK為瑞薩電子高壓電源MOSFET系列的第一款產品，採用高精密超結合技術結構，達到電源MOSFET設備主要整體效能指數的優值（FOM）標準，與瑞薩電子現有產品相較下，效能約可提升90%。

新的RJK60S5DPK電源MOSFET可達到150毫歐的導通電阻（mΩ，ID標準值=10A，VGSS=10V），較瑞薩電子現有的電源MOSFET產品低52%，如此可減少電源轉換時的損失。此新電源MOSFET具備僅6nC（nanocoulomb，ID標準值=10 A，VGSS=10）的驅動電容（閘極電荷Qgd），可影響交換速度，相較於瑞薩電子現有產品可節省80%的轉換電荷，因此能透過高速交換提高電源轉換效率。

新的RJK60S5DPK電源MOSFET封裝大小與TO-3P標準封裝相同，且pin腳的配置符合產業標準，因此可輕易安裝於使用傳統平面MOSFET設備評估的交換電源供應電路板。

瑞薩電子認為平面電視、通訊基地台以及PC伺服器都將因低耗電量交換電源供應器產品而受益。該公司計畫利用新RJK60S5DPK電源MOSFET的先進技術，擴大高壓電源設備的事業規模，並針對各特定用途開發各種新產品。