Vishay Intertechnology公司擁有80.4% 股份的子公司Siliconix incorporated宣佈推出晶片尺寸級的新型P 通道功率MOSFET 器件，該種底面積不足3 平方毫米的器件均可提供業界最低的導通電阻。針對電池開關、功率放大器、負載開關和充電器應用，這種新型MICRO FOOT. Si8413DB 器件在柵極驅動電壓爲4.5V時可提供最大僅48 毫歐的導通電阻，比先前市場上最佳的同類晶片尺寸MOSFET 低31%。柵極驅動電壓爲2.5V 時，所提供的最大導通電阻低於63 毫歐。這種新型器件的擊穿電壓爲-20V。

Vishay表示，Si8413DB 的底面積爲1.54 毫米×1.54 毫米，高度爲0.62 毫米，其性能可與採用較大的TSOP-6 封裝的器件相媲美，而所占的空間卻是上述器件的1/4。當用於PDA、蜂窩電話、傳呼機和其他攜帶型電子設備時，新型MICRO FOOT 器件能夠使設計人員設計出更小、更薄的終端産品，並添加更多的功能和／或延長兩次電池充電之間的運行時間。Vishay Siliconix MICRO FOOT. 器件採用了焊球工藝和由Siliconix 開發的專有技術，無需使用裝入功率MOSFET芯心的外包裝，從而極大縮小了在蜂窩電話和其他掌上型電子設備內轉換功率和類比信號所需器件的尺寸。作爲MICROFOOT 系列的最新産品，Si8413DB 的最大導通電阻分別比先前推出的Si8411DB 和Si8401DB 低17% 和31%。目前，Si8413DB 的樣品及量産批量均可供應，大宗定單的供貨周期爲12 周。