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IR新款MOSFET採條形溝道設計
可節省25%零件數

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉報導】   2003年01月13日 星期一

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國際整流器公司(IR)13日推出IRLR7833及IRLR7821兩款HEXFET功率MOSFET,該產品以全新條形溝道 (Stripe-trench)技術設計,為目前D-Pak封裝上導通電阻最低的30V MOSFET。。與同類直流-直流轉換器MOSFET相比,此兩款以新技術製成的MOSFET能將效率提升高達2.5%,節省高達25%零件數目,可依照實際應用需要而定。新元件是專為同步降壓轉換器電路而設計,適用於伺服器、桌上型和筆記型電腦,以及網路和通訊設備中的負載點(Point-of-load)轉換器。IRLR7833還可用於隔離式轉換器的次級同步整流。

0113_Gen_10.5_FETs-1
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IR表示,相較於上一代元件,IRLR7833的導通電阻減少50%,IRLR7821的柵電荷則減少30%以上。由於IRLR7833的導通電阻極低,因此特別適合同步MOSFET應用;IRLR7821的極低柵電荷則使它成為理想的控制MOSFET。兩款新元件的額定柵電壓均達20V,因此品質更為堅固耐用。

D-Pak封裝正廣泛採用於同步場效應管(FET)插座,應用領域包括桌上型電腦和電壓調節模組(VRM)設計,及每相電流高至20A的筆記型電腦應用。IR台灣分公司總經理朱文義表示,「新晶片組採用了IR全新的矽技術,有助於提高效率或減少零件數目。在VRM設計中,設計人員可利用三枚IRLR7833 MOSFET取代四枚低端MOSFET,提供更高性能和效益。」

關鍵字: 國際整流器公司  朱文義  電壓控制器 
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