隨摩爾定律的腳步，半導體市場在2012年將會正式跨入28奈米製程世代。宜特日前宣佈，該公司從2010年開始佈局，2011年與知名IC設計大廠合作，歷經研究測試，2012年正式突破技術門檻，不僅替客戶完成難度極高的28奈米最小線寬修改，且電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。

宜特表示，28奈米是現今市場上各大廠欲跨入的製程，此製程可為IC產品帶來更高的效能，更低的能耗，與更輕薄短小的尺寸，相當符合現今行動裝置的需求，因此許多大廠紛紛導入。

不過，28奈米製程亦有技術上的挑戰。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經理崔革文表示，28奈米在設計與佈局上的複雜度大幅升高，並且很難有一套通用的可製造性設計(Design for manufacture，DFM)模型來確保設計與佈局的正確性，將導致IC設計業者須進行更為頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負擔，一套28奈米光罩要價近2億台幣，是40奈米的好幾倍，往來重新下光罩亦需一個多月。

因此，許多業者採FIB(Focused ion beam，聚焦離子束)線路修改技術，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。崔革文說：「FIB在28奈米產品的除錯與驗證上勢必將扮演更為重要的角色。」

FIB工程處經理 許如宏表示，早在2010年，宜特即展開28奈米IC線路修改的研究與佈局，針對最底層(Metal 1)的極小線路作修改測試，並從極小間距中，研究如何設定正確參數將訊號引出，還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真，目前在各個環節上均已完成驗證，技術能量已可滿足現今所有先進製程產品的除錯與驗證需求。

許如宏進一步指出，工欲善其事，必先利其器，宜特除了擁有技術外，亦在這兩年，建造完成國內唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室，除了一般的Front-side FIB技術外，亦可支援Back-side FIB線路修改技術。

Back-side FIB其原理是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進行線路修改，該相關技術近年來受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數都特別高的28奈米製程上，由於需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(Flip Chip)形式，也因此，使用Back-side FIB線路修改將成為未來主流。