帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
宜特引進全台獨家高溫/高電場誘發閘極漏電實驗
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2010年08月30日 星期一

瀏覽人次:【12138】

宜特科技宣布,目前已引進高溫/高電場誘發閘極漏電實驗,是台灣首家引進此服務項目之獨立實驗室。此項目為國際汽車電子協會針對IC可靠度必測項目。

在實務中,無鉛製程溫度即比錫鉛製程溫度高30℃~40℃,此為高溫環境。而為了滿足無鉛高溫組裝需要,SMT機台廠商亦以增加機台熱區以及加大電熱能來因應,使得電場環境較以往嚴苛,因此高溫加上高電場而誘發了積體電路閘極漏電現象逐漸增加。

近幾年隨著IC製程演進,複雜度不斷上升,加上大多數IC設計公司為了擴大應用領域及降低成本不斷進行Die Shrink,此舉亦使得閘極漏電現象發生機率增加。部分研究顯示閘極漏電現象發生在高壓元件上較多;車用電子在高壓/高溫環境下閘極漏電現象之比例更高,因此國際汽車電子協會將此實驗納入IC可靠度必測項目之ㄧ。宜特科技除已具備多年IC可靠度經驗外,亦於今年自行開發完成電場/高溫誘發閘極漏電實驗能力建置,同時也已提供國內/外客戶試驗需求。

關鍵字: IC驗證  宜特科技 
相關產品
宜特研究Creep Corrosion再下一城,推出濕硫磺蒸氣(FOS)試驗
宜特完成28奈米IC電路修改除錯技術
宜特正式提供EPEAT環保標章申請輔導與檢測項目
宜特輔導業界整合產品品質與有害物質管理系統
宜特科技引進高承載/大位移振動試驗新登場
  相關新聞
» 豪威集團推出用於存在檢測、人臉辨識和常開功能的超小尺寸感測器
» Anritsu Tech Forum 2024 揭開無線與高速技術的未來視界
» ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值
» ST:AI兩大挑戰在於耗能及部署便利性 兩者直接影響AI普及速度
» 慧榮獲ISO 26262 ASIL B Ready與ASPICE CL2認證 提供車用級安全儲存方案
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 最佳化大量低複雜度PCB測試的生產效率策略
» 確保裝置互通性 RedCap全面測試驗證勢在必行
» STM32MP25系列MPU加速邊緣AI應用發展 開啟嵌入式智慧新時代
» STM32 MCU產品線再添新成員 STM32H7R/S與STM32U0各擅勝場

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.191.62.68
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw