英飛凌科技(Infineon)是第一家推出商用矽晶低雜訊放大器(low noise amplifier, LNA)產品之半導體供應商，和現今昂貴的Gallium Arsenide(GaAs)產品相較，該產品能夠提供更佳之效能價格比，同時亦符合行動電話3GPP之規定。在巴塞隆納舉行之3GSM World Congress 2007中，英飛凌宣佈供應最新之低雜訊放大器：BGA700L16和BGA734L16，它們結合了英飛凌獨家的矽鍺碳(Silicon Germanium carbon, SiGe:C)製程和低電阻晶片接地之特性。採用這樣的結合，可獲得同等級低雜訊放大器中最佳之雜訊水準。BGA700L16是一個雙頻道低雜訊放大器，適用於無線區域網路(Wireless LAN, WLAN)系統中，而開發三頻道的低雜訊放大器BGA734L16則是適用於UNTA或HSxPA之應用。

設計無線產品之RF電路所面對的主要挑戰之一，是要將靈敏度、網路之涵蓋面、以及數據傳輸率做最佳化的處理，主要的決定因素是接收器之雜訊水準。傳統上，RF和微波系統之設計者必須採用更昂貴的GaAs低雜訊放大器，這是由於以往矽晶效能的限制之故。在過去的十年，有許多的科技出版品在敘述具成本效益之矽晶製程可能在效益上是GaAs之對手。目前英飛凌是第一家證明這個方法的半導體公司，它推出了一個商用矽晶產品，其效能要超過GaAs。此外，全新之矽鍺碳(SiGe:C)製程更具能源效率，更容易和其他晶片功能進行整合。

英飛凌科技公司產品行銷部資深總監Michael Mauer表示，英飛凌推出此全新等級之LNA之後，再次展現在RF技術上的地位。已經在產業界設定了新的標竿，為下一代的無線應用形成更高的效能和加長的電池壽命，其中包括UNTS、HSxPA或WLAN產品。