英飛凌（Infineon）昨（6）日宣佈，推出採用溝槽技術製程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。英飛凌表示，新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準。

Infineon新型P通道40V MOSFET系列產品，提供50A至180A的各種標準封裝方式。

英飛凌新型P通道40V MOSFET系列產品，提供電流範圍50A至180A的各種標準封裝方式，衍生出30多款系列產品。由於P通道40V OptiMOS P2產品是用作汽車橋式應用產品的高壓側開關，因此不需要額外的電荷泵裝置，可大幅節省成本並提升EMI效能。

新產品整合脈衝寬頻調變（PWM）控制功能，相較於N通道MOSFET，具備更佳的散熱與雪崩能量表現，因此適用於電池反接保護及汽車馬達控制應用，例如電子動力轉向系統（EPS）馬達控制、三相與H型橋式（H-bridge） 馬達（雨刷、電子式駐煞車）、HVAC風扇控制以及電動泵。

橋式配置的高壓側與低壓側皆需要MOSFET。相較於N通道MOSFET，新型P通道裝置不需要額外的電荷泵，即可支援驅動直流刷馬達或無刷三相直流馬達的高壓側開關。若採用H型橋式馬達，平均可節省約5％至10％的成本。

OptiMOS P2裝置採用堅固的封裝，可承受在濕度敏感等級1（Moisture Sensitivity Level 1，MSL1）熔焊時 260°C 的高溫，並使用符合RoHS規範的無鉛電鍍。功率MOSFET符合汽車電子協會（AEC-Q101）所制訂的規格。