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业界最小采用紧凑型表面贴装封装的3kA TVS二极体 (2025.09.25)
Littelfuse公司（纳斯达克股票代码：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力於为永续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，今日宣布推出DFNAK3系列大功率TVS二极体 |
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Littelfuse推出业界最小采用紧凑型表面贴装封装的3kA TVS二极体 (2025.09.25)
Littelfuse公司推出DFNAK3系列大功率TVS二极体。此系列紧凑型表面贴装元件可提供 3 kA (8/20 μs) 突波电流保护，在极小空间内可提供最高的突波保护，非常适合在严苛环境中保护直流供电系统和乙太网路供电 (PoE) 应用 |
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Nexperia新款1200 V SiC 萧特基二极体适用於高功率密集基础设施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽（SiC）萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L，专为高功率密集型基础设施设计，目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统 |
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Nexperia新款1200 V SiC 萧特基二极体适用於高功率密集基础设施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽（SiC）萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L，专为高功率密集型基础设施设计，目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统 |
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IXD0579M高压侧和低压侧闸极驱动器提供紧凑型即??即用解决方案 (2025.06.03)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力於为永续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出IXD0579M高速闸极驱动器积体电路 |
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IXD0579M高压侧和低压侧闸极驱动器提供紧凑型即??即用解决方案 (2025.06.03)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力於为永续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出IXD0579M高速闸极驱动器积体电路 |
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Microchip扩展maXTouch M1系列元件，支援汽车大尺寸、曲面及自由形显示幕 (2025.02.21)
随着汽车制造商透过整合大尺寸显示幕及OLED（有机发光二极管）、microLED等新兴技术打造智慧座舱，寻求将功能性与品牌标识完美融合，如何在更薄堆叠结构与更多触控电极下实现可靠电容触控成为关键挑战 |
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Microchip扩展maXTouch M1系列元件，支援汽车大尺寸、曲面及自由形显示幕 (2025.02.21)
随?汽车制造商透过整合大尺寸显示幕及OLED（有机发光二极管）、microLED等新兴技术打造智慧座舱，寻求将功能性与品牌标识完美融合，如何在更薄堆叠结构与更多触控电极下实现可靠电容触控成?关键挑战 |
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首款新型TPSMB非对称TVS二极体为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极体系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极体，专门用於保护汽车应用中的碳化矽（SiC）MOSFET闸极驱动器。 这项创新产品满足下一代电动车(EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用於栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS 元件 |
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首款新型TPSMB非对称TVS二极体为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极体系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极体，专门用於保护汽车应用中的碳化矽（SiC）MOSFET闸极驱动器。 这项创新产品满足下一代电动车(EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用於栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS 元件 |
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Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计，功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合，具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸，旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求 |
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Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计，功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合，具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸，旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求 |
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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用 |
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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用 |
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三菱电机新型MelDIR品牌80×60像素热二极管红外线感测器 (2024.10.24)
（Mitsubishi Electric）宣布即将推出一款新型MelDIR品牌80×60像素热二极管红外线感测器MIR8060C1，其视野角为100。×73。 ，为该公司现有热二极体红外线感测器的两倍以上，*能够准确、有效率地识别人和物体 |
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三菱电机新型MelDIR品牌80×60像素热二极管红外线感测器 (2024.10.24)
（Mitsubishi Electric）宣布即将推出一款新型MelDIR品牌80×60像素热二极管红外线感测器MIR8060C1，其视野角为100。×73。 ，为该公司现有热二极体红外线感测器的两倍以上，*能够准确、有效率地识别人和物体 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
